| 产品型号 | 单指栅宽 (μm) | 总栅宽 (mm) | 尺寸X (μm) | 尺寸Y (μm) | 典型性能@6GHz 48V (W) | 效率@6GHz 48V (%) | 增益@6GHz 48V (dB) | 典型性能@10GHz 28V (W) | 效率@10GHz 28V (%) | 增益@10GHz 28V (dB) | Download |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| D2J370DB2 | 470 | 45.12 | 995 | 6075 | 370 | 59 | 17.2 | 205 | 43 | 9.5 | |
| D2J325DB2 | 440 | 42.24 | 995 | 6075 | 325 | 61 | 17.3 | 180 | 45 | 9.8 | |
| D2J245DB2 | 390 | 31.20 | 895 | 5115 | 245 | 65 | 18.0 | 135 | 48 | 10.5 | |
| D2J185DE2 | 415 | 23.24 | 920 | 4220 | 185 | 67 | 18.1 | 100 | 52 | 12.1 | |
| D2J160DH2 | 295 | 18.88 | 800 | 4390 | 160 | 69 | 19.6 | 90 | 54 | 13.8 | |
| D2J140DE2 | 345 | 16.56 | 850 | 3740 | 140 | 70 | 18.4 | 75 | 55 | 13.0 | |
| D2J105DE2 | 295 | 11.80 | 800 | 3160 | 105 | 72 | 19.0 | 58 | 57 | 13.7 | |
| D2J090DE2 | 285 | 10.26 | 790 | 2835 | 90 | 73 | 18.9 | 50 | 58 | 13.7 | |
| D2J070DH2 | 210 | 7.56 | 655 | 2725 | 70 | 73 | 20.5 | 38 | 60 | 15.5 | |
| D2J055DA2 | 295 | 5.90 | 640 | 1515 | 55 | 74 | 19.7 | 29 | 62 | 14.8 | |
| D2J040DA2 | 270 | 4.32 | 615 | 1275 | 40 | 74 | 21.2 | 22 | 64 | 16.5 | |
| D2J026DB2 | 155 | 2.79 | 500 | 1395 | 26 | 74 | 22.3 | 14 | 66 | 17.9 | |
| D2J015DB2 | 160 | 1.60 | 505 | 915 | 15 | 75 | 22.7 | 8 | 67 | 18.6 | |
| D2J008DB2 | 150 | 0.90 | 495 | 675 | 8 | 75 | 23.7 | 5 | 67 | 20.0 | |
| D2J005DA2 | 250 | 0.50 | 595 | 595 | 5 | 75 | 22.8 | 3 | 67 | 18.8 |
D2J370DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 995*6075 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 370 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 59 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 17.2 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 205 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 43 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 9.5 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1354 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1354 mA, 频率 = 10 GHz
D2J325DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 995*6075 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 325 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 61 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 17.3 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 180 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 45 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 9.8 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 1267 mA, 频率 = 10 GHz
D2J245DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 895*5115 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 245 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 65 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.0 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 135 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 48 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 10.5 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 936 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 936 mA, 频率 = 10 GHz
D2J185DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 920*4220 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 185 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 67 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.1 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 100 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 52 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 12.1 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 697 mA, 频率 = 10 GHz
D2J0160DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 800*4390 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 160 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 69 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 19.6 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 90 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 54 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.8 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz
D2J140DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 850*3740 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 140 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 70 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.4 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 75 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 55 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.0 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =497 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 497 mA, 频率 = 10 GHz
D2J105DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 800*3160 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 105 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 72 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 19.0 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 58 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 57 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.7 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =354 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 354 mA, 频率 = 10 GHz
D2J090DE2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 790*2835 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 90 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 73 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 18.9 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 50 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 58 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 13.7 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =308 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 308 mA, 频率 = 10 GHz
D2J070DH2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 655*2725 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 70 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 73 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 20.5 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 38 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 60 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 15.5 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =227 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 227 mA, 频率 = 10 GHz
D2J055DA2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 640*1515 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 55 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 74 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 19.7 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 29 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 62 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 14.8 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =177 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 177 mA, 频率 = 10 GHz
D2J040DA2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 615*1275 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 40 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 74 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 21.2 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 22 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 64 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 16.5 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =130 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 130 mA, 频率 = 10 GHz
D2J026DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 500*1395 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 26 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 74 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 22.3 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 14 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 66 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 17.9 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =84 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 84 mA, 频率 = 10 GHz
D2J015DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 505*915 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 15 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 75 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 22.7 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 8 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 67 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 18.6 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ =48 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 48 mA, 频率 = 10 GHz
D2J008DB2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 495*675 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 8 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 75 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 23.7 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 5 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 67 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 20.0 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 27 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 27 mA, 频率 = 10 GHz
D2J005DA2是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。
| 参数 | 值 | 单位 |
| 产品尺寸 | 595*595 | mm |
| 典型功率 @6GHz 48V | 4.7 | W |
| 效率 @6GHz 48V | 75 | % |
| 增益 @6GHz 48V | 22.8 | dB |
| 典型功率 @10GHz 28V | 3 | W |
| 效率 @10GHz 28V | 67 | % |
| 增益 @10GHz 28V | 18.8 | dB |
1、效率、增益标识为对应 48V 6GHz频点，最大效率下的仿真数据；
仿真测试条件：VDD = 48 V, IDQ = 15 mA, 频率 = 6 GHz
2、效率、增益标识为对应 28V 10GHz频点，最大效率下的仿真数据
仿真测试条件：VDD = 28 V, IDQ = 15 mA, 频率 = 10 GHz
中文版
